Карбід кремнію напівпровідникового класу – енергія майбутнього
Electronic-grade silicon carbide (6H/4H polytypes) sets new benchmarks with: Resistivity: >1x10⁵ Ω·см, щільність мікротрубки:<1 cm⁻²
Шорсткість поверхні: Ra менше або дорівнює 0,2 нм (підтримка EPI) Наші 150-міліметрові пластини N-типу (4 градуси від осі) дозволяють виготовляти SiC MOSFET напругою 3,3 кВ із коефіцієнтом виходу 99,7%, що є критичним для інфраструктури зарядки електромобілів.
Змінені програми
Легований SiC: алюміній (5x10¹⁸ атомів/см³) для омічних контактів
Епітаксіальні підкладки SiC: товщина 10-100 мкм з варіацією товщини менше або дорівнює 5%
Quantum-grade SiC: NV center density >500/мм³ для квантового зондування
Параметри карбіду кремнію
|
Торгова марка |
ZhenAn |
|
Продукт |
Карбід кремнію |
|
Чистота |
88% 90% 98% |
|
Форма |
Пісок і порошок |
|
Код HS |
284920 |
Якість Лідерство
У чистих приміщеннях робочого класу 100 (ISO 14644-1) ми впроваджуємо засоби керування процесом VDA 6.3 і відповідаємо SEMI S2/S8. У партнерстві з Інститутом Фраунгофера ми розробили власну технологію картографування дефектів, яка досягає рівнів металевого забруднення 0,02ppb. Наші комплекти для транспортування пластин містять ущільнені азотом касети з відстеженням вологості в реальному часі.
Популярні Мітки: карбід кремнію для вогнетривких абразивних матеріалів, Китай карбід кремнію для вогнетривких абразивних матеріалів виробники, постачальники, фабрика