Процес виробництва монокристалів карбіду кремнію
Карбід кремнію (SiC) є важливим напівпровідниковим матеріалом із чудовими термодинамічними та електричними властивостями. Він широко використовується в силових електронних пристроях, оптоелектронних пристроях, датчиках та інших областях. Монокристал карбіду кремнію є однією з найпоширеніших форм матеріалів з карбіду кремнію. Процес його приготування є відносно складним, в основному включає підготовку сировини, зростання кристалів і обробку пластин.
Монокристалічний матеріал карбіду кремнію в основному використовує високочистий порошок ступеня Si як сировину для вирощування монокристалів термодинамічними методами. По-перше, необхідно вибрати відповідний порошок карбіду кремнію як сировину. Чистота та розмір частинок порошку мають важливий вплив на якість кінцевого кристала. Зазвичай вибирають порошок карбіду кремнію високої чистоти з діаметром порошку в діапазоні 1-5 мкм і попередньо нагрівають його для видалення домішок з поверхні порошку. У той же час також необхідно підготувати відповідну кількість розчинника та флюсу для сприяння росту кристалів карбіду кремнію.
Опис продукції
|
Назва товару |
Карбід кремнію |
| Лінійна експансивність |
1.5-2 |
| Твердість | Звичайний абразив |
| Специфікація | За бажанням замовника |
Логотип і доставка
Q: Чи можу я мати власний ЛОГОТИП на продукті?
Так, ви можете надіслати нам свій дизайн, і ми можемо зробити ваш ЛОГОТИП.
З: Чи можете ви організувати доставку?
Звичайно, у нас є постійний експедитор, який може отримати найкращу ціну від більшості судноплавних компаній і запропонувати професійні послуги.
Популярні Мітки: карбід кремнію sic порошок, Китай карбід кремнію sic порошок виробники, постачальники, фабрика