Карбід кремнію SiC

Карбід кремнію - це напівпровідниковий складний матеріал, що складається з елементів вуглецю та кремнію. У порівнянні з нітридом галію, нітридом алюмінію, оксидом галію та іншими матеріалами з шириною забороненої зони більше 2,2 еВ, карбід кремнію (SiC) класифікується як широкозонний напівпровідниковий матеріал, а також відомий як напівпровідниковий матеріал третього покоління в Китаї.

Послати повідомлення

Опис

переваги карбіду кремнію

Якщо розглядати лише чіпи з карбіду кремнію, то порівняно з традиційними силовими чіпами на основі кремнію карбід кремнію має незрівнянні переваги в галузі потужних напівпровідників: він може витримувати більш високі струми та напруги, має вищу швидкість перемикання, менші втрати енергії та кращі характеристики при високих температурах. Таким чином, модуль живлення, виготовлений з карбіду кремнію, може відповідно зменшити кількість компонентів, таких як конденсатори, котушки індуктивності, котушки та компоненти розсіювання тепла, роблячи весь модуль силового пристрою більш легким, енергозберігаючим та більшою вихідною потужністю, а також підвищуючи надійність. Ці переваги очевидні.

З точки зору застосування терміналів, матеріали з карбіду кремнію широко використовуються у високошвидкісній залізниці, автомобільній електроніці, інтелектуальних мережах, фотоелектричних інверторах, промисловій електромеханіці, центрах обробки даних, побутовій техніці, споживчій електроніці, зв’язку 5G, дисплеях наступного покоління та інших галузях, і потенціал ринку величезний. Як всередині, так і за межами галузі визнали величезний потенціал застосування карбіду кремнію в майбутньому, і виклали один за одним, тому «золотий шлях» гідний своєї назви.

silicon carbide

Карбід кремнію веде майбутнє

З точки зору застосування, карбід кремнію відомий як «золота доріжка», що не надто багато.

В даний час для максимізації характеристик матеріалів з карбіду кремнію та нітриду галію ідеальним рішенням є епітаксійне вирощування на монокристалічних підкладках з карбіду кремнію. Тобто епітаксіальний шар карбіду кремнію вирощують поверх карбіду кремнію для виготовлення силових пристроїв; Епітаксійний шар нітриду галію, вирощений на карбіді кремнію, можна використовувати для виготовлення пристроїв живлення середньої та низької напруги та високої частоти (менше 650 В), потужних мікрохвильових РЧ-пристроїв та оптоелектронних пристроїв. Цей метод в даний час широко використовується при виготовленні чіпів з карбіду кремнію і нітриду галію.

silicon carbide

контакт

Сої Чен

ZHEN AN INTERNATIONAL CO., LTD

мобільний:+86-17737626416 (WhatsApp)

Електронна пошта: soyee@zaferroalloy.com

Факс: +86-372-5055180

Веб-сайт 1: https://www.zaferroalloy.cn/

Веб-сайт 2: https://www.zanewmetal.com/

Головний офіс: бізнес-центр Хуафу, район Веньфен, місто Аньян, провінція Хенань, Китай

Популярні Мітки: карбід кремнію sic, Китай карбід кремнію sic виробники, постачальники, фабрика