Силіконовий порошок Carbie для шліфування

Виробництво карбіду кремнію включає кілька складних процесів. Одним із основних методів є процес Ачесона, який був розроблений наприкінці 19 століття. У цьому процесі суміш кремнеземного піску та нафтового коксу нагрівається в електричній печі опору до температури близько 2000 - 2500 градусів. Висока температура викликає хімічну реакцію між діоксидом кремнію в піску та вуглецем у коксі, що призводить до утворення карбіду кремнію. Однак процес Ачесона зазвичай виробляє карбід кремнію з домішками, що вимагає подальших етапів очищення.​

Сучасні технології виробництва зосереджені на виробництві монокристалічного карбіду кремнію високої чистоти для застосування в напівпровідниках. Хімічне осадження з газової фази (CVD) є широко використовуваним методом для вирощування високоякісних монокристалів SiC. У CVD суміш летючих прекурсорів, що містять кремній і вуглець, вводять у високотемпературний реактор. Ці попередники розкладають і осідають атоми кремнію та вуглецю на затравковому кристалі, поступово виростаючи великий монокристал SiC. Щоб забезпечити якість кристала, необхідно точно контролювати процес вирощування, оскільки будь-які дефекти можуть істотно вплинути на продуктивність пристроїв на основі SiC. Після вирощування кристалів бульби нарізають, полірують і переробляють у пластини, які потім використовують для виготовлення різних електронних та оптоелектронних пристроїв на основі SiC.

ZhenAn – це підприємство, що спеціалізується на металургійній та вогнетривкій продукції, об’єднує виробництво, обробку, продаж, імпорт та експорт. Ми зосереджені на створенні відданої команди професіоналів по всьому світу. У ZhenAn ми прагнемо надавати повні рішення, забезпечуючи «належну якість і кількість» відповідно до процесів наших клієнтів.

Популярні Мітки: силіконовий карбі порошок для шліфування полірування, Китай кремнію карбі порошок для шліфування полірування виробники, постачальники, фабрика