Високий рівень продукту кремнію нітрид

Частково кристалізовані кремнієві мозаїчні мікроструктури, знайдені вкремнієва нітридФільми, підготовлені LPCVD. Залежно від умов вирощування та процесу, масштаб структури коливається від десятків до сотень нанометрів. Based on the stress test results and transmission electron microscopy observation results of SiNx films grown under different conditions, the genesis of the microstructure of silicon-rich SiNx films and their interaction with the stress in the film were analyzed, and the LPCVD growth process of silicon-rich SiNx films was optimized, which greatly reduced the tensile stress of the film, and the unsupported film-forming area could reach 40 мм × 40 мм. Виходячи з результатів цього дослідження, контрольоване зростання мембран Sinx з визначеним стресом на розрив був реалізований LPCVD.

1.Кремнієва нітридТонкі плівки (sin _ x) готували за допомогою технології хімічного осадження пари низького тиску (LPCVD) з використанням силану та аміаку як кремнієвих та азотових джерел відповідно та азоту з високою чистотою як газ. Кінетика росту гріхів _ x плівок була вивчена еліпсометрії, властивості плівки Sin _ x характеризувались інфрачервоною спектроскопією Фур'є та рентгенівською фотоелектронною спектроскопією, що спостерігалася мікроскопічна морфологія {{5} x kilms. За тих же умов інших процесів швидкість росту гріха _ x плівки монотонно збільшується зі збільшенням робочого тиску, а співвідношення (r) швидкості потоку аміаку до силану в канальному газі має протилежний вплив на швидкість росту плівки. Зі збільшенням температури реакції швидкість осадження зростає поступово, досягаючи максимуму близько 840 градусів, а потім швидко зменшується. Коли використовується R2, ​​отримується SI-багатий Si _ x Тонка плівка (x1.33). Коли використовується R4, отримується гріх _ x плівка з майже Stoichiometric (Z≈1.33).

Популярні Мітки: Високий рівень продукту кремнію нітрид, Китай високого рівня виробників нітриду кремнію, постачальники, фабрика