Метод високотемпературного синтезу для отримання карбіду кремнію
Технологічний процес карбіду кремнію: середовище з надвисокою температурою: нагрівання до температури понад 2500 градусів через плазму або дугу для досягнення миттєвої реакції. Швидкий синтез: час реакції скорочується до кількох годин, і безпосередньо генерується SiC високої чистоти.
Переваги: Продукт має високу чистоту (>99,9%) і відмінну кристалічну структуру.
Немає проміжних продуктів, придатних для отримання нанорозмірного SiC. Недоліки: Дороге обладнання та надзвичайно високе енергоспоживання. Технологія складна і її важко застосовувати у великих масштабах. Застосування: високотехнологічні галузі, такі як напівпровідники та оптичні покриття. Інші процеси: Хімічне осадження з парової фази (CVD): використовується для тонкої плівки або монокристалічного SiC, вартість надзвичайно висока. Золь-гель метод: підходить для невеликих партій нано-SiC в лабораторії, і індустріалізація є важкою.
параметри карбіду кремнію
|
Торгова марка |
ZhenAn |
|
Продукт |
Карбід кремнію |
| Розмір частинок | Абразивний |
| Вогнетривкий розмір | 0-1 мм 0-10 мм 0-100 мм |
як оформити замовлення
В: Покупець надсилає запит →отримує цінову пропозицію щодо карбіду кремнію → підтвердження замовлення→ Покупець організовує депозит у розмірі 30% → Виробництво розпочинається після отримання депозиту→ Сувора перевірка під час виробництва → Покупець організовує оплату залишку→ Упаковка → Доставка відповідно до умов торгівлі
Популярні Мітки: високоякісний карбід кремнію/наждак, Китай високоякісний карбід кремнію/наждак виробники, постачальники, фабрика