Надзвичайна твердість і механічна міцність
Твердість за Моосом ~9,5, поступаючись лише алмазу та нітриду бору.
Високийзносостійкість, що робить його ідеальним для абразивних застосувань (наприклад, шліфувальних кругів, ріжучих інструментів).
Зберігає механічну стабільність навіть при сильних навантаженнях.
Властивості широкозонних напівпровідників
Ширина забороненої зони 3,26 еВ (4H-SiC), що значно більше, ніж у кремнію (1,12 еВ).
Дозволяє працювати навищі напруги, температури та частоти.
Зменшує втрати енергії в силовій електроніці.
Високийкритична напруженість електричного поля(у 10 разів більше, ніж у кремнію), що дозволяє створювати більш тонкі та ефективніші пристрої.
Видатні термічні властивості
Висока теплопровідність (~490 Вт/м·К для 4H-SiC при кімнатній температурі), перевершуючи більшість металів і напівпровідників.
Чудовотепловіддача, важливий для силової електроніки та високочастотних пристроїв.
Термостабільність до 1600 градусів(температура плавлення ~2700 градусів), підходить для екстремальних умов (наприклад, аерокосмічна промисловість, ядерні реактори).
Ключові переваги порівняно з традиційними матеріалами
| Власність | Карбід кремнію (SiC) | Кремній (Si) | нітрид галію (GaN) |
|---|---|---|---|
| Ширина забороненої зони (еВ) | 3.26 | 1.12 | 3.4 |
| Теплопровідність | Високий (~490 Вт/м·К) | Низький (~150 Вт/м·К) | Помірний (~253 Вт/м·К) |
| Максимальна робоча температура | ~600 градусів + | ~150 градусів | ~300 градусів |
| Напруженість електричного поля | 10x Si | Базовий рівень | ~3x Si |
Популярні Мітки: ключові характеристики карбіду кремнію sic, Китай основні характеристики карбіду кремнію sic виробники, постачальники, фабрика